第三代功率半导体—值得信赖的力量
第三代半导体的明星产品碳化硅功率器件,随着全球双碳产业的蓬勃发展,在新能源汽车、风电、光伏、储能、大功率工业电源产品中得到了广泛的使用,随着材料成本的逐年下降和产品良率的快速提升,碳化硅功率器件的成本也在快速的下降,反过来推动了碳化硅功率器件的应用范围,包括家电变频、LED商显、手机笔电的快充头都已经开始大规模的采用,随着产业界对于电源转换效率的不断追求,碳化硅二极管和MOSFET已经成为了电力电子产品的最佳选择。森国科作为碳化硅功率器件的龙头企业,已经推出了性能覆盖车规级、工业级的全系列的碳化硅二极管、MOSFET百余款产品,赋能双碳和低碳。
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关于森国科
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事碳化硅功率器件设计及销售的国家高新科技企业,总部设在深圳。现主营的第五代650V和1200V?TMPS(Thinned?MPS)?碳化硅二极管经过了市场的严格验证,良率高达97%以上,实现了大规模量产。该系列SiC产品以其优于硅基产品的特性,可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等多个应用领域。
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与湾区共创新!森国科在首届大湾区可持续发展创新挑战赛中荣获企业组三等奖
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产品
碳化硅功率器件解决方案来帮助我们追求更高效、更健康、更环保的未来
应用
从多个与国民生活息息相关的场景中皆可看到碳化硅功率器件使用的身影
特色产品
碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力,树立了低动态损耗方面的标杆,即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列适用于工业领域,如工业电源,充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。
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碳化硅二极管
碳化硅二极管
相比于硅材料,碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍;单位面积阻隔电压的能力(击穿场强)约是硅的7倍;热导率方面是硅的3倍之多(功率器件运行时不可避免地有损耗,产生热量,能够做到把较多的热量导出来,代表了功率处理的能力比较强);电子漂移速度是硅的2倍左右;因碳化硅材料卓越的物理特性,碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。 森国科碳化硅二极管根据不同的应用需求完成了多种形式的封装,从SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220AC封装,也可以与传统Si器件直接做替换,为工程师们提供了极大的灵活性。
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碳化硅二极管 |
AMB基板:碳化硅模块封装新趋势
碳化硅作为新一代功率器件典型代表,具有高温高频特性,对于电池效率提升和成本降低都有明显优势。目前车用进展推进迅速,实际上除了芯片技术外,封装技术也非常关键,新的封装材料和新的封装技术层出不穷。对于轨道交通、电动汽车用的高压、大电流、高功率功率模块来说,散热和可靠性是其必须解决的关键问题。
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碳化硅MOSFET |
一图搞懂碳化硅——晶圆制造篇
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
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碳化硅二极管 |
碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较
SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压,要想提高Si-SBD的耐压,需要增加Si-SBD漂移区厚度,减小掺杂浓度,但这会带来阻值上升,VF升高导致损耗大幅增加不适合实际应用,因此Si-SBD一般是偏低压的规格,而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,保持了实际应用特性和可耐高压的特性。
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